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技術點亮未來,三菱電機半導體爭做行業優等生! [2018/4/27]

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4月26日,勞動節前夕,大中國區三菱電機半導體來到深圳君悅酒店,向電力電子行業內的各位專家及精英朋友們提交了一份技術成果匯報單——“2018三菱電機功率模塊技術研討會”。技術控的你,對這份成績單是否滿意呢?
 
 
志存高遠 緊跟電力電子“學術之源”
作為三菱電機校企合作的老朋友,剛剛從46屆日內瓦國際發明展覽大會獲獎歸來的清華大學趙爭鳴教授率先登場,向來賓發表了“功率半導體器件多時間尺度瞬態建模及仿真”的專題報告。趙教授以此次日內瓦獲獎之行的所見趣聞作為切入,在分享完國際前瞻技術后,更號召大家用系統、發展的眼光看問題。他提到,電力電子科學領域,做應用及裝置所面臨三大技術難題的共性便是瞬態問題。而半導體又是電力電子的主力軍,唯有關注功率半導體的開關特性這一核心問題,同時建立瞬態模型,才能更好地反映關鍵參數。

 

 

去粗取精 追求功率器件“至善之美”
近年來,為順應“中國制造2025”的大政方針,三菱電機致力于降低產品損耗、提升產品性能與可靠性的產品目標,至今已成功將第七代IGBT模塊推向市場。
研討會上,三菱電機半導體大中國區技術總監宋高升先生向現場與會者介紹道,在過去一年,三菱電機功率半導體產品線在家用、工業、汽車、牽引四大領域都有核心技術突破。在變頻家電領域,三菱電機成功發布面向變頻冰箱和風機驅動的SLIMDIP-S以及面向變頻空調和洗衣機的SLIMDIP-L智能功率模塊,最近又成功發布表面貼裝型IPM,這些產品將有助于推動變頻家電實現小型化;在工業應用方面,成功發布第七代IGBT和第七代IPM模塊,首次采用SLC封裝技術,使得模塊壽命大幅延長;成功發布面向汽車應用的J1系列Pin-fin模塊,其中i-DBS結構采用了疊層母排的布局實現了封裝小、內部雜散電感低的特性;面向牽引應用的X系列HVIGBT,安全工作區裕度大、電流密度增加、抗濕度魯棒性增強,有助于進一步提高牽引變流器現場運行的可靠性。
未來,三菱電機仍將在以上四大領域不斷推出新產品、新技術,努力在電動汽車和鐵道牽引兩大交通領域實現新突破。
 
 
厚積薄發 點燃創新科技“燎原之勢”
SiC和GaN為代表的第三代半導體材料憑借其優異性能,突破電能轉換消耗瓶頸并迅速崛起。三菱電機的第三代半導體產業起步較早,早在2013年日本政府將第三代半導體納入“首相戰略”,以日本著名學府大阪大學牽頭,協同三菱電機、羅姆等知名企業,形成產學研中心,共同開發適應SiC和GaN等第三代半導體的先進封裝技術。

 

本次研討會上,三菱電機半導體大中國區高級應用工程師胡博先生詳細講述其SiC功率模塊以及混合SiC功率模塊的性能與應用。與傳統的硅IGBT模塊相比,全SiC功率模塊大幅提高功率變換組件效率,減小組件體積及減輕組件重量。SiC產品可廣泛應用于太陽逆變器、醫療設備電源、電梯、馬達驅動等。
創新是突破瓶頸、實現蛻變健康成長的不二法門。為了滿足功率器件市場對噪聲低、效率高、尺寸小和重量輕的要求,三菱電機正在加緊研發新一代溝槽柵SiC MOSFET芯片技術,該技術將進一步改善短路耐量和導通電阻的關系,并計劃在2020年實現新型SiC MOSFET模塊的商業化。
 
在功率芯片和功率模塊研發與制造方面,三菱電機憑借60多年的技術沉淀與經驗積累,持續性和創造性地研究與開發深耕的行業,成就了三菱電機在半導體領域中的“優等生”地位。在未來的日子里,三菱電機還將繼續以“優等生”姿態,力爭為業界帶來一定的模范作用,以期為社會貢獻更多更好的產品和服務,助力中國制造向更深層次邁進。

 

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