產品信息
SICSBD

適用于各種用途的SiC-SBD

應用 產品名稱 型號 額定值 封裝
電壓[V] 電流[A]
家電
工業
SiC-SBD BD20060T 600 20 TO-220-2L
BD20060S★★ TO-247-3L
BD20060A★★ TO-263S-3L
BD10120S★★ 1200 10 TO-247-3L
BD20120S★★ 20
汽車 BD20120SJ★★

★★ Under development

有著優異特性的碳化硅

借助JBS結構,實現高度可靠

借助JBS結構,實現高度可靠

通過采用將pn結和肖特基結合為一體的JBS結構,實現了高耐浪涌能力。低損耗、高度可靠的SBD有助于電源系統向低功耗、小型化方向發展。

JBS : Junction Barrier Shottky


高溫操作

高溫操作

在溫度升高時,電子會向導帶轉移,漏電流增加,導致無法正常運行。 碳化硅的禁帶寬度約為單晶硅的三倍,即使在高溫時漏電流的增加也很小,可以確保高溫下運行。


高速的開關操作

高速的開關操作

碳化硅在具有高強度絕緣擊穿電場降低電能損耗的同時,也容易實現耐高壓,所以可以采用單晶硅無法實現的肖特基勢壘二極管(SBD)(Schottky Barrier Diode)。 由于SBD沒有載流子積累,最終幫助實現高速的開關動作。


優異的散熱效果

優異的散熱效果

碳化硅的熱傳導率約為單晶硅的三倍,有效提高了散熱能力。


主要用途

空調、光伏發電、充電基礎設施、車載充電器等的電源系統

特點

  • 與已有產品相比,功率損耗約減少21%*
  • 通過減少功率損耗和高頻動作,電抗器和散熱板等部件能夠做到小型化
  • 采用JBS結構,電涌耐量高,有利于實現高度的可靠性



  • *與本公司配置Si二極管的功率率半導體模塊DIPPFC™產品相比


    內部模塊圖

    內部模塊圖

    功率損耗比較*

    功率損耗比較
    *與本公司搭載有功率半導體模塊DIPPFC™的Si二極管產品相比
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