概要
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管)模塊是所有工業設備變頻化必需的元器件， 從20世紀90年代產品化開始，該產品就向著大電流、耐高壓方向發展。 此外，其產品芯片結構從平面柵極結構發展為溝槽柵極結構，并且憑借CSTBT?結構(本公司運用載流子儲存效應獨家研發的IGBT) ，滿足了工業設備低損耗、小型化的要求。從第5代IGBT開始，本公司產品陣營除了包含傳統外觀的標準(std)型產品， 還增加了薄型外觀(NX型)的復合型*1產品。 除此以外，公司產品線中的新成員還有S系列(第6代IGBT)和功率損耗更低且尺寸更小的T/T1系列(第7代IGBT)產品。*1：1個封裝件中內置逆變器、三相整流器和制動器回路
特性參數表
請您參照 IGBT模塊 特性參數表
主要用途
通用變頻器、伺服驅動器、逆變電源、太陽能發電、風力發電、CT、MRI、誘導加熱應用設備New Products
T/T1系列
*: 1 CSTBT?：本公司利用載流子儲存效應獨家研發的IGBT
*: 2 RFC: Relaxed Field of cathode
*: 3 PC-TIM: Phase Change - thermal Interface Material，相變熱界面材料
采用新型結構，可靠性提高（熱循環壽命提高）
匹配壓配合端子（NX型）
Featured Products
3級變頻器用功率模塊
*: 1 搭載本產品的3電平逆變器與搭載本公司已有產品的2電平逆變器相比
*: 2 1in1/2in1產品的外型尺寸為130mm×67mm，4in1型外型尺寸為115mm×82mm，端子位置精心設計
*: 3 按照3電平逆變器的要求，對采用本公司獨家CSTBT?(本公司利用載流子蓄電效果獨家開發的IGBT)結構的IGBT規格進行優化
*: 4 4in1模塊將3電平逆變器所需的1相結構封裝在一個器件內
*: 5 共射連接的雙向開關模塊
內部電路圖
