產品信息

高頻硅器件

高頻硅器件

概要

三菱高頻硅器件支持無線通信網絡。
三菱高頻硅器件是針對頻率為數MHz到1GHz的移動無線通信設備發射段功率放大用的關鍵部件,有力地支持了無線通信網絡,廣泛用于移動公務用無線電設備、業余無線電設備以及車載信息服務市場。

特性參數表

請您參照 高頻硅器件 特性參數表

產品選擇圖


3.6V運作 大功率 MOS FET(分立)

3.6V運作 大功率 MOS FET(分立) RD02LUS2 RD04LUS2

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7.2V運作 大功率 MOS FET(分立)

7.2V運作 大功率 MOS FET(分立) RD12MVP1 RD12MVS1 RD08MUS2 RD07MUS2B RD09MUP2 RD10MMS2 RD05MMP1 RD01MUS2 RD02MUS2 RD01MUS2B

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12.5V運作 大功率 MOS FET(分立)

12.5V運作 大功率 MOS FET(分立) RD100HHF1C RD70HUP2 RD70HVF1C RD60HUF1C RD35HUP2 RD16HHF1 RD15HVF1 RD06HHF1 RD06HVF1 RD04HMS2

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7.2V運作 大功率 MOS FET模塊

7.2V運作 大功率 MOS FET模塊 RA07M1317M RA07M3847M RA07M4452M RA03M8087M RA03M8894M

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9.6V運作 大功率 MOS FET模塊

9.6V運作 大功率 MOS FET模塊 RA08N1317M RA07N4047M RA07N4452M

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12.5V運作 大功率 MOS FET模塊

12.5V運作 大功率 MOS FET模塊 RA80H1415M1 RA60H1317M1A RA60H1317M1B RA60H3340M1A RA60H3847M1 RA60H3847M1A RA60H4452M1 RA60H4452M1A RA33H1516M1 RA30H1317M1 RA30H1317M1A RA30H3847M1 RA30H3847M1A RA30H4452M1 RA30H4452M1A RA30H2127M1 RA08H1317M RA07N4047M RA07N4452M

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